Фізики досягли контролю фотоіндукованої надпровідності на мікрочипі
Джерело:
ScienceDailyДослідники з Інституту структури і динаміки речовини в Німеччині успішно продемонстрували інтеграцію контролю фотоіндукованої надпровідності на мікрочипі. Цей прорив, досягнутий за допомогою нелінійної терагерцової спектроскопії, не тільки прокладає шлях для розвитку оптоелектронних пристроїв, але й розширює наше розуміння ключових властивостей надпровідності в тонких фотозбуджених плівках.
Команда під керівництвом Ван Ерін зосередилася на оптичному контролі речовини для індукування надпровідності при високих температурах, особливо у квантових матеріалах, таких як купрати. Їх методологія передбачала прикріплення тонких плівок купрату K3C60 до фотопровідних перемикачів з копланарними хвилеводами.
Читайте на сайті Шимпанзе спіймали на використанні військової тактики, яку раніше бачили тільки у людей
Як цього вдалося досягнути
Для активації перемикачів використовували лазерні імпульси, що дозволяло одному імпульсу електричного струму проходити через матеріал зі швидкістю вдвічі меншою за швидкість світла. Подальші дані, включаючи характеристики електричних сигнатур надпровідності, реєструвалися спеціальним детекторним перемикачем.
Важливим аспектом дослідження було одночасне опромінення плівки K3C60 світлом у середньому інфрачервоному діапазоні. Це дозволило дослідникам спостерігати нелінійні зміни струму в оптично збудженому матеріалі, що дало змогу зрозуміти поведінку критичного струму та ефекту Мейснера, які раніше не були виміряні в цьому контексті.
Дивіться також Цей дивний робот здатен викликати слухові галюцинації у здорових людей
Ван Ерін, керівник дослідницької групи, висловив важливість їхньої роботи, заявивши:
Ми розробили технічну платформу, яка ідеально підходить для вивчення нелінійного транспорту за межами рівноважного стану, такого як аномальні ефекти Холла, відображення Андрєєва та інші.
Це досягнення знаменує собою значний крок вперед у галузі дослідження квантових матеріалів, відкриваючи нові можливості для майбутнього технологічного прогресу.