Прорив у створенні мікропроцесорів: Samsung та IBM здолали фізичний бар'єр у 1 нанометр
Джерело:
EngadgetКомпанії IBM та Samsung Electronics повідомили про вражаюче досягнення. Їм вдалося спроєктувати конструкцію чипів, при якій частина компонентів встановлюється перпендикулярно один до одного. Це дало змогу здолати фізичний бар'єр та вийти на небачений досі рівень економії енергії.
Завдяки новій системі вже на першому етапі випробувань вдалося подвоїти продуктивність мікросхем та знизити рівень енергоспоживання на 85%. Завдяки новій технології виробники, наприклад, можуть створити чипи для сучасних смартфонів, які зможуть обходитися без підзарядки тиждень.
Не пропустіть Galaxy Z Fold3 / Z Flip3: переваги третього покоління революційних складаних смартфонів Samsung
Система радикально відрізняється від сучасних моделей, у яких транзистори лежать на поверхні кремнію, поруч один з одним, а електричний струм тече з боку в бік. Чип з "вертикальними транспортними польовими транзисторами" (VTFET) передбачає багатошарову конструкцію – у таких процесорах транзистори розташовані як паралельно, так і перпендикулярно одне одному, а струм тече вертикально.
Чому це дуже важлива розробка
Конструкція дає дві ключові переваги для потенційних клієнтів IBM та Samsung. Насамперед вона надає змогу обійти обмеження продуктивності й у майбутньому розширить "закон Мура". Автори хочуть вийти за межі існуючої технології нанолистів.
Інженери відзначили, що нова технологія може стати в пригоді й для видобування криптовалюти, що дасть змогу зробити цей процес більш енергоефективним і, отже, менш шкідливим для довкілля.
До речі, крім Samsung та IBM, над аналогічними мікросхемами також працюють у компанії Intel. У недавньому дослідженні, присвяченому технологічному прогресу після 2025 року, аналітики Intel заявили, що незабаром найбільші ІТ-компанії почнуть переходити на тривимірні чипи – розробка стане складнішою і дорожчою, але самі технології – на порядок продуктивнішими.