Samsung первой в мире объявила о начале производства 3-нанометровых чипов

Чипы, которые будут выпускаться на основе нового процесса, предназначены в первую очередь для высокопроизводительных вычислений с низким потреблением энергии. В дальнейшем планируется использовать их и в мобильных процессорах.

Интересно В России не могут активировать смартфоны Samsung, ввезенные параллельным импортом

Что известно

• В новой технологии используется архитектура транзисторов с окружающим затвором, которую Samsung назвала Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET).
• Более широкие каналы для электричества в затворах снижают уровень напряжения по сравнению с предыдущей архитектурой транзисторов FinFET.
• Каналы окружены затворами со всех четырех сторон, что позволяет пропускать через затворы большее количество тока, чем у FinFET.
• По сравнению с 5-нанометровым техпроцессом, этот сокращает расход энергии на 45 процентов и повышает производительность на 23 процента. Площадь поверхности при этом снизилась на 16 процентов.
• Также Samsung утверждает, что 3-нанометровый процесс обеспечивает более гибкий дизайн, при котором можно подгонять ширину канала под требования заказчика.
• Второе поколение 3-нанометрового техпроцесса с повышенной энергоэффективностью, производительностью и площадью поверхности уже в работе, заявили в компании.

Основной конкурент Samsung, тайваньский производитель полупроводников TSMC, тоже готовится начать выпуск 3-нанометровой продукции во втором полугодии 2022-го. Samsung опередила TSMC и может отвоевать больше заказов от крупных клиентов вроде Qualcomm. Компания не уточнила, для какого заказчика начала производство новых чипов.