Об этом сообщает Tom's Hardware.
Читайте также: Важнейшие разработки 2018 года, которые могут изменить индустрию
GAAFET дает возможность преодолеть ограничения FinFET (fin field-effect transistor) за счет своей архитектуры. В транзисторах GAAFET каналы выполняются в виде круглых нанопроводников, расположенных горизонтально или вертикально. Затвор обтекает такой канал со всех сторон.
Чем отличаются GAAFET транзисторы от других
При этом один транзистор может использовать несколько каналов. Для сравнения, FinFET предусматривает покрытие трех сторон ведущего канала. Расположение затвора вокруг канала снижает потенциальные потери напряжения, увеличивая эффективность работы транзистора. За счет более низких напряжений питания при этом уменьшается энергопотребление.
Принцип работы FinFET транзисторов
В прошлом году Samsung заявила, что она будет использовать 4-нанометровый техпроцесс с транзисторами GAAFET уже в 2020 году. Эксперты отрасли скептически относились к перспективам выпуска GAAFET ранее 2022 года. Однако сейчас г-н Ванг отметил, что Samsung наверняка запустит технологию раньше, чем ожидалось.
Больше новостей, касающихся событий из мира технологий, гаджетов, искусственного интеллекта, а также космоса читайте в разделе Техно