Технология уже получила одобрение от ассоциации JEDEC. С ней смартфоны не только получат прирост производительности, но и снизят энергопотребление, что особенно важно в эпоху 5G.

Интересно Samsung убрала букву Z из названий своих смартфонов

Характеристики новой памяти

  • Накопители UFS 4.0 обладают пропускной способностью до 23,2 гигабита в секунду на каждую полосу – вдвое больше по сравнению с UFS 3.1.
  • Благодаря использованию усовершенствованной памяти Samsung V-NAND седьмого поколения и фирменного контроллера компании удалось увеличить скорость последовательного чтения до 4200 мегабитов в секунду, а записи – до 2800 мегабитов в секунду.
  • При этом энергоэффективность также возросла: заявляют улучшение на 46 процентов по сравнению с UFS 3-го поколения, что означает увеличение скорости последовательного чтения на 6 мегабит в секунду при расходе единицы потребляемого тока.
  • Размер модуля составляет не более 11×13×1 миллиметра.
  • Максимальная емкость – 1 терабайт.

Массовое производство новой флэш-памяти стартует уже в третьем квартале этого года. Первые смартфоны с накопителями UFS 4.0 предположительно выйдут на рынок не раньше 2023 года. Конечно же, Samsung не только будет поставлять модули сторонним производителям гаджетов, но и устанавливать их в собственные смартфоны и планшеты. Среди первых устройств это будет линейка Galaxy S23. Кроме того, новинку могут получить Galaxy Fold 4 и Galaxy Flip 4.

Samsung говорит, что новая память идеально подойдет для 5G смартфонов, средств автоматизации, а также устройств виртуальной и дополненной реальности.